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压铸
12月10日，半导体制造商罗姆（ROHM）宣布与台积电（TSMC）已就电动汽车应用的氮化镓（GaN）功率器件的开发和量产达成战略合作关系。
此次合作将把罗姆的器件开发技术与台积电业界领先的硅基氮化镓工艺技术相结合，以满足功率器件对优于硅的高压和高频特性日益增长的需求。
GaN功率器件目前用于消费和工业应用，例如交流适配器和服务器电源。台积电方面支持GaN技术，因为它在汽车应用中具有潜在的环境效益，例如电动汽车（EV）的车载充电器和逆变器。
此次合作基于罗姆和台积电此前在GaN功率器件方面的合作基础。2023年，罗姆采用台积电的650V GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），该工艺作为罗姆EcoGaN™系列的一部分，越来越多地用于消费和工业设备，包括台达电子旗下品牌Innergie生产的45W交流适配器（快速充电器）“C4 Duo”。
罗姆董事会成员兼高级执行官Katsumi Azuma表示：“GaN器件具有高频操作能力，因其在小型化和节能方面的贡献而备受期待，有助于实现脱碳社会。可靠的合作伙伴对于在社会中实施这些创新至关重要，我们很高兴与拥有先进制造技术的台积电合作。除了此次合作之外，我们还通过提供包括控制IC在内的用户友好型GaN解决方案来最大限度地提高GaN性能，旨在推动GaN在汽车行业的应用。”
台积电特殊技术业务开发高级总监Chien-Hsin Lee表示：“随着我们下一代GaN工艺技术的不断推进，台积电和罗姆正在将我们的合作关系扩展到汽车应用的GaN功率器件的开发和生产。通过结合台积电在半导体制造方面的专业知识和罗姆在功率器件设计方面的熟练程度，我们致力于突破GaN技术的界限及其在电动汽车中的应用。”
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